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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]利用热纳米压印制备具有微纳光栅结构的超薄复合金属电极的方法及应用-CN201910341770.5有效
发明人：孙洪波;马驰;冯晶 -专利权人：吉林大学
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了利用热纳米压印制备具有微纳光栅结构的超薄复合金属电极的方法及应用，属于有机发光器件技术领域，本发明利用预先制备的具有微纳光栅反结构的膜板，直接对蒸镀完毕的超薄复合金属薄膜进行热压印，可得到具有微纳光栅结构的、厚度均匀的高质量超薄复合金属电极。采用对超薄复合金属电极直接进行热纳米压印，能够同时保证图案化的超薄金属电极的整体薄膜均匀性和超薄特性，从而有效降低了超薄金属电极的电阻，提升了器件效率；利用热纳米压印制备具有微纳光栅结构的超薄复合金属电极具有较高的透过率
利用纳米压印制备具有光栅结构超薄复合金属电极方法应用

[发明专利]一种超薄材料-金属新型接触电极-CN201710247377.0有效
发明人：戴道锌;尹延龙;李江 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄材料‑金属新型接触电极。包括衬底以及置于衬底上的超薄材料和多层金属电极，超薄材料的全部或者其中一部分位于金属电极间，使得超薄材料的上下表面分别与金属电极接触，电流分别经多层金属电极从超薄材料的上表面和下表面流入到超薄材料中。本发明使得接触电导率增加，接触电阻减小，结构简单，制作方便，利于集成，可以直接应用在目前的超薄材料光电子器件中。
一种超薄材料金属新型接触电极

[发明专利]一种双面带电极的超薄晶片及其制备方法-CN201810310621.8有效
发明人：朱厚彬;胡卉;薛海蛟;张秀全;李真宇 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L37/02 文献下载
摘要：提供了一种双面带电极的超薄晶片及其制备方法。所述双面带电极的超薄晶片包括超薄晶片以及分别设置在超薄晶片的两个面上的第一金属电极和第二金属电极，其中，所述超薄晶片的厚度为2μm～100μm。
一种双面电极超薄晶片及其制备方法

[实用新型]一种超薄p-AlGaN结构深紫外LED-CN202021910967.0有效
发明人：蔡端俊;黄生荣 -专利权人：厦门瑶光半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种超薄p‑AlGaN结构深紫外LED，自下至上依次由衬底、缓冲层、n型接触层、有源层、p型AlGaN层、p型GaN接触盖层和金属电极层组成；n型接触层接引有第一电极；金属电极层接引有第二电极；p型AlGaN层为超薄层，厚度小于100nm；p型GaN接触盖层为超薄层，厚度小于10nm。该超薄p‑AlGaN结构深紫外LED，采用超薄的p型AlGaN层和p型GaN接触盖层替代了较厚的p型GaN层，可以有效减小LED所发出深紫外光的自吸收效应，p型GaN接触盖层则便于制作欧姆接触金属电极，
一种超薄 algan 结构深紫 led

[发明专利]一种含有籽晶层的金属半透明电极钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202111103508.0在审
发明人：杨培志;姚雪梅;李佳宝;杨雯;李学铭 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K30/83 文献下载
摘要：本发明属于能量转换器件领域，具体涉及一种含有籽晶层的金属半透明电极钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明通过引入与空穴传输层或者电子传输层能级匹配且与超薄金属电极层晶格匹配的籽晶层于器件中，可实现最高21%的效率。另外，籽晶层还可以防止超薄金属电极层直接接触空穴传输层或者电子传输层，从而避免超薄金属电极层被腐蚀。使用该方法制得的钙钛矿太阳能电池具有较好的透光性和导电性。
一种含有籽晶金属半透明电极钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种超薄小型双频陶瓷天线-CN201210239257.3无效
发明人：郑永帅 -专利权人： TDK大连电子有限公司
申请日： 2012-07-12 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄小型双频陶瓷天线。所述超薄小型双频陶瓷天线包括：介电常数在30至100范围内的陶瓷块（1）及印刷在陶瓷块（1）底面的至少三个金属电极（11），其中至少一个金属电极与馈电电源连接，至少一个金属电极通过调频器件与印刷电路板（2）接地面连接；所述陶瓷块（1）为方形结构，长度为1mm至10mm，宽度为0.5mm至5mm，高度为0.5mm至2mm，所述超薄小型陶瓷天线的净空区尺寸W×L为2mm×5mm至10mm×30mm。
一种超薄小型双频陶瓷天线

[发明专利]一种超薄小型陶瓷天线-CN201210239256.9无效
发明人：郑永帅 -专利权人： TDK大连电子有限公司
申请日： 2012-07-12 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄小型陶瓷天线。所述超薄小型陶瓷天线包括：介电常数在30至100范围内的陶瓷块（1）及印刷在陶瓷块（1）底面的两个金属电极（11），其中一个金属电极与馈电电源连接，另外一个金属电极通过第一调频器件（3）与印刷电路板（2）接地面连接；所述陶瓷块（1）为方形结构，长度为2mm至10mm，宽度为1mm至5mm，高度为0.5mm至2mm，所述超薄小型陶瓷天线的净空区尺寸W×L为2mm×5mm至10mm×30mm。
一种超薄小型陶瓷天线

[实用新型]一种超薄小型双频陶瓷天线-CN201220334651.0有效
发明人：郑永帅 -专利权人： TDK大连电子有限公司
申请日： 2012-07-12 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超薄小型双频陶瓷天线。所述超薄小型双频陶瓷天线包括：介电常数在30至100范围内的陶瓷块（1）及印刷在陶瓷块（1）底面的至少三个金属电极（11），其中至少一个金属电极与馈电电源连接，至少一个金属电极通过调频器件与印刷电路板（2）接地面连接；所述陶瓷块（1）为方形结构，长度为1mm至10mm，宽度为0.5mm至5mm，高度为0.5mm至2mm，所述超薄小型陶瓷天线的净空区尺寸W×L为2mm×5mm至10mm×30mm。
一种超薄小型双频陶瓷天线

[实用新型]一种超薄小型陶瓷天线-CN201220334652.5有效
发明人：郑永帅 -专利权人： TDK大连电子有限公司
申请日： 2012-07-12 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超薄小型陶瓷天线。所述超薄小型陶瓷天线包括：介电常数在30至100范围内的陶瓷块（1）及印刷在陶瓷块（1）底面的两个金属电极（11），其中一个金属电极与馈电电源连接，另外一个金属电极通过第一调频器件（3）与印刷电路板（2）接地面连接；所述陶瓷块（1）为方形结构，长度为2mm至10mm，宽度为1mm至5mm，高度为0.5mm至2mm，所述超薄小型陶瓷天线的净空区尺寸W×L为2mm×5mm至10mm×30mm。
一种超薄小型陶瓷天线

[发明专利]一种大面积超薄单晶硅太阳能电池-CN201110173366.5无效
发明人：倪云达;葛正芳;胡宏珊 -专利权人：江苏顺大半导体发展有限公司
申请日： 2011-06-26 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积超薄单晶硅太阳能电池，其上、下表面积为125mm*125mm；该太阳能电池包括P型硅片，在P型硅片正面制成作为负极面的N+P结层；在P型硅片背面制成作为正极面的P+P结层；所述负极面通过负极金属电极引出，所述正极面通过正极金属电极引出，所述负极金属电极和正极金属电极相串联；在N+P结层和P+P结层喷涂有氮化硅层。本发明提供的大面积超薄单晶硅太阳能电池，在硅片的两面都形成光照转化结构，与普通太阳能电池相比，可增加实际的输出功率，更有效地利用了太阳能，并降低了生产成本。
一种大面积超薄单晶硅太阳能电池

[实用新型]一种大面积超薄单晶硅太阳能电池-CN201120218182.1有效
发明人：倪云达;葛正芳;胡宏珊 -专利权人：江苏顺大半导体发展有限公司
申请日： 2011-06-26 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大面积超薄单晶硅太阳能电池，其上、下表面积为125mm×125mm；该太阳能电池包括P型硅片，在P型硅片正面制成作为负极面的N+P结层；在P型硅片背面制成作为正极面的P+P结层；所述负极面通过负极金属电极引出，所述正极面通过正极金属电极引出，所述负极金属电极和正极金属电极相串联；在N+P结层和P+P结层喷涂有氮化硅层。本实用新型提供的大面积超薄单晶硅太阳能电池，在硅片的两面都形成光照转化结构，与普通太阳能电池相比，可增加实际的输出功率，更有效地利用了太阳能，并降低了生产成本。
一种大面积超薄单晶硅太阳能电池

[发明专利]一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法-CN201910806263.4在审
发明人：李国强;孙佩椰;陈丁波;万利军;阙显沣;姚书南 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述器件包括衬底、GaN沟道层、AlGaN超薄势垒层、非晶SiO₂层、单晶AlN层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极。本发明的增强型器件是在GaN和超薄AlGaN异质结的基础上，在栅下区域插入非晶SiO₂层后，在异质结上外延单晶AlN层。栅下非晶SiO₂层能够隔离强极性单晶AlN层对AlGaN超薄势垒层的极化增强效应，耗尽栅下二维电子气，使器件关断，实现增强型器件。
非晶单晶增强型器件势垒层异质结半导体器件领域器件击穿电压二维电子气漏金属电极源金属电极栅泄漏电流外延单晶下介质层强极性下区域增强型栅金属电极极化衬底关断制备耗尽隔离

[实用新型]一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件-CN201921418007.X有效
发明人：李国强;孙佩椰;陈丁波;万利军;阙显沣;姚书南 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述器件包括衬底、GaN沟道层、AlGaN超薄势垒层、非晶SiO2层、单晶AlN层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极。本实用新型的增强型器件是在GaN和超薄AlGaN异质结的基础上，在栅下区域插入非晶SiO2层后，在异质结上外延单晶AlN层。栅下非晶SiO2层能够隔离强极性单晶AlN层对AlGaN超薄势垒层的极化增强效应，耗尽栅下二维电子气，使器件关断，实现增强型器件。
一种增强 aln algan gan hemt 器件

[发明专利]一种具有长波近红外和紫外光反射的柔性微腔太阳能电池-CN202210677059.9在审
发明人：黄江;范青山;魏子皓;王美玲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开一种具有长波近红外和紫外光反射的柔性微腔太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括顶入射型结构和底入射型结构；顶入射型结构自上而下依次设置紫外光DBR反射层、紫外光吸收层、超薄金属电极、阳极缓冲层、纳米颗粒掺杂的活性层、阴极缓冲层、厚金属电极、近红外DBR反射层和柔性基板；底入射型结构自下而上依次设置柔性基板、紫外光DBR反射层、超薄金属电极、紫外光吸收层、纳米颗粒掺杂的活性层、阳极缓冲层、厚金属电极和近红外
一种具有长波红外紫外光反射柔性太阳能电池

[发明专利]一种调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法-CN200910077622.3无效
发明人：胡爱斌;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-02-09 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行氧化和刻蚀，形成有源区；在有源区内形成超薄二氧化硅膜；对形成超薄二氧化硅膜的硅片进行钝化处理，使硅片表面的硅原子和硫原子形成化学键；对钝化后的硅片进行金属电极材料淀积，形成金属电极。利用本发明，解决了金属和硅形成的肖特基二极管势垒主要受半导体硅表面态影响的问题。
一种调节金属形成肖特基二极管方法

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